砷化(hua)鎵(jia)（gallium arsenide），化(hua)學(xue)式 GaAs。黑(hei)灰(hui)色固體，熔(rong)點1238℃。它(ta)在600℃以下(xia)，能在空(kong)氣(qi)中(zhong)穩(wen)定存(cun)在，並(bing)且不(bu)被非(fei)氧化(hua)性(xing)的(de)酸侵(qin)蝕(shi)。砷化(hua)鎵(jia)是壹種(zhong)重要(yao)的半(ban)導體材(cai)料(liao)，屬Ⅲ－Ⅴ族(zu)化(hua)合物(wu)半導體。

    砷化(hua)鎵(jia)晶(jing)圓(yuan)的(de)用途各(ge)不(bu)相(xiang)同(tong)，主(zhu)要(yao)用於壹些(xie)二極管、場效(xiao)應(ying)晶體管（FET）和集(ji)成(cheng)電(dian)路（IC）等。砷化(hua)鎵(jia)可(ke)以制成(cheng)電(dian)阻(zu)率(lv)比矽(gui)、鍺(zhe)高3個(ge)數量(liang)級(ji)以(yi)上(shang)的(de)半絕(jue)緣高阻(zu)材(cai)料(liao),用來(lai)制(zhi)作集(ji)成(cheng)電(dian)路襯底(di)、紅(hong)外探(tan)測器(qi)、γ光(guang)子探(tan)測(ce)器(qi)等。由(you)於其電(dian)子遷移率(lv)比矽(gui)大(da)5～6倍，故在制作微波器(qi)件和高速(su)數字電(dian)路方面得(de)到(dao)重要(yao)應(ying)用。用砷化(hua)鎵(jia)制(zhi)成(cheng)的半(ban)導體器(qi)件具(ju)有(you)高頻、高溫、低溫性能好、噪聲(sheng)小、抗(kang)輻(fu)射(she)能力(li)強(qiang)等(deng)優(you)點(dian)。此(ci)外，砷化(hua)鎵(jia)可(ke)以用於制造光(guang)通(tong)信和控制(zhi)系統(tong)中(zhong)的(de)發光(guang)二極管（LED）。砷化(hua)鎵(jia)是半導體材(cai)料(liao)中(zhong)兼具多(duo)方(fang)面優(you)點的材(cai)料(liao)，其*的(de)性能已(yi)使其成(cheng)為線性(xing)數字IC生(sheng)產中(zhong)矽(gui)材(cai)料(liao)的(de)替(ti)代者。但由(you)於它在高溫下(xia)分(fen)解，要(yao)生產理想化(hua)學(xue)配(pei)比的(de)高純(chun)的單晶材(cai)料(liao)，技(ji)術(shu)上要(yao)求(qiu)比較(jiao)高。

典型的(de)砷(shen)化(hua)鎵(jia)晶(jing)圓(yuan)拋(pao)光(guang)條(tiao)件：

1、劃(hua)痕(hen)硬度（莫恩(en)尺度(du)）：3

2、磨(mo)料(liao)：氧化(hua)鋁(lv)粉

3、負荷(he)（g cm-2）：60-80

4、機(ji)器(qi)：Logitech PM5 / LP50

5、夾具(ju)：Logitech PP5 / 6GT

典型的(de)研(yan)磨(mo)和拋光(guang)結果(guo)：

1、平(ping)整(zheng)度：5 Fringes

2、表(biao)面處理：Ra 3-4nm

3、厚度(du)控制(zhi)：+/- 2μm至(zhi)100μm

4、平(ping)行(xing)度：+/- 2μm

有(you)關使用Logitech系統(tong)進(jin)行(xing)砷化(hua)鎵(jia)處理的更(geng)多(duo)信(xin)息，咨(zi)詢。