砷化鎵(jia)（GaAs）晶圓(yuan)屬於(yu)軟脆材(cai)料(liao)，行(xing)業(ye)對其(qi)研磨拋光(guang)後的(de)參數指(zhi)標普遍(bian)要求(qiu)是(shi)：平(ping)整度控(kong)制(zhi)在(zai)±2um以(yi)內(nei)，TTV（總(zong)厚(hou)度變(bian)化）控(kong)制(zhi)在(zai)每25mm區域1um以(yi)內(nei)。在(zai)滿(man)足參數指(zhi)標的前(qian)提下，提升生(sheng)產(chan)效(xiao)率(lv)和(he)質(zhi)量(liang)，壹直(zhi)是(shi)Logitech所(suo)追(zhui)求的目(mu)標。Logitech研磨拋光(guang)設(she)備(bei)，是(shi)能(neng)滿(man)足以(yi)上要求(qiu)。可(ke)實(shi)現(xian)8英(ying)寸(cun)及(ji)以(yi)下砷化鎵(jia)（GaAs）晶圓(yuan)研磨和拋光(guang)，具有(you)以(yi)下特點(dian)：

特點(dian)壹：采(cai)用在(zai)線盤平(ping)整度檢(jian)測(ce)與控(kong)制(zhi)。研磨盤的(de)平(ping)整度，對研磨出的樣(yang)品(pin)至(zhi)關(guan)重要(yao)！Logitech研磨拋光(guang)設(she)備(bei)，修(xiu)盤時(shi)，無(wu)需停止(zhi)樣(yang)品(pin)研磨，設(she)備(bei)可(ke)在(zai)樣(yang)品(pin)研磨的同時，在(zai)線監(jian)測(ce)盤的(de)平(ping)整度，根(gen)據研磨需要(yao)，自動(dong)調(tiao)整(zheng)擺臂的位(wei)置(zhi)，以(yi)保(bao)持或(huo)改變(bian)研磨盤的平(ping)整度，使研磨盤達(da)到用戶(hu)想要(yao)的盤目(mu)標形狀，盤平(ping)整度控(kong)制(zhi)的好，研磨出的樣(yang)品(pin)的(de)品質(zhi)就高，此(ci)過程全(quan)程無(wu)需人工手動幹預，大大提升生(sheng)產(chan)效(xiao)率(lv)和(he)質(zhi)量(liang)。

特點(dian)二：采(cai)用動(dong)態研磨工藝。在(zai)制(zhi)造砷(shen)化鎵(jia)（GaAs）晶圓(yuan)時，為了減少(shao)表面損(sun)傷，改善(shan)表面粗(cu)糙度Ra，可(ke)以(yi)采(cai)用動(dong)態研磨工藝，讓初始(shi)載(zai)重(zhong)較高，比(bi)如(ru)4倍，然後隨(sui)著砷(shen)化鎵(jia)（GaAs）晶圓(yuan)的厚(hou)度逐漸(jian)減小，載(zai)重(zhong)也分階段(duan)降(jiang)低(di)至3倍、2倍(bei)，最後(hou)達(da)到1倍(bei)，直(zhi)至達(da)到樣(yang)品(pin)最終(zhong)的研磨目(mu)標厚(hou)度。在(zai)研磨過程中(zhong)，較輕(qing)的載(zai)重(zhong)將有效(xiao)減少(shao)表面的(de)損傷(shang)，產生(sheng)更好的(de)表(biao)面粗(cu)糙度Ra，從(cong)而縮短(duan)後續(xu)拋(pao)光(guang)時間(jian)。Logitech設(she)備(bei)可(ke)通過壹(yi)次連續(xu)操(cao)作，完(wan)成(cheng)這(zhe)壹系列(lie)的載(zai)重(zhong)調(tiao)整(zheng)的(de)過程，大幅度提高生(sheng)產(chan)效(xiao)率(lv)和(he)質(zhi)量(liang)。

以(yi)邏(luo)輯Akribis-air設(she)備(bei)為例，6英(ying)寸(cun)砷(shen)化鎵(jia)（GaAs）晶圓(yuan)研磨拋光(guang)試驗(yan)數據(ju)如(ru)下：

研磨：保(bao)持恒(heng)定的(de)盤速(su)，使(shi)用的(de)三種研磨料對6英(ying)寸(cun)砷(shen)化鎵(jia)（GaAs）進(jin)行(xing)六次(ci)研磨，其中兩(liang)次使用3倍（3x）夾具(ju)載(zai)重(zhong)，兩(liang)次使用2倍（2x）夾具(ju)載(zai)重(zhong)，還有兩(liang)次使用1倍（x）夾具(ju)載(zai)重(zhong)，對應(ying)的(de)材(cai)料去除(chu)率(lv)如(ru)下：

拋光(guang)：保(bao)持恒(heng)定的(de)盤速(su)70轉/分，使用Logitech專(zhuan)有Chemlox拋光(guang)液作為拋光(guang)液，對6英(ying)寸(cun)砷(shen)化鎵(jia)（GaAs）進(jin)行(xing)六次(ci)拋光(guang)，其中(zhong)兩(liang)次拋光(guang)使用4倍（4x）夾具(ju)載(zai)重(zhong)，兩(liang)次使用3倍（3x）夾具(ju)載(zai)重(zhong)，還有兩(liang)次使用2倍（2x）夾具(ju)載(zai)重(zhong)，對應(ying)材(cai)料(liao)去除(chu)率(lv)如(ru)下：

試驗(yan)數據(ju)表明，Logitech 設(she)備(bei)在(zai)砷化鎵(jia)（GaAs）晶圓(yuan)生(sheng)產方(fang)面，有穩(wen)定(ding)的(de)材(cai)料去除(chu)率(lv)，設(she)備(bei)加(jia)工樣(yang)品(pin)重(zhong)復(fu)性高，通過在(zai)線對盤的(de)平(ping)整度的(de)控(kong)制(zhi)以(yi)及動態研磨技術，控(kong)制(zhi)樣(yang)品(pin)的(de)平(ping)整度，降低(di)表面粗(cu)糙度Ra，省時(shi)省力，提高了生產(chan)效(xiao)率(lv)和(he)加(jia)工質(zhi)量(liang)。