壹(yi)次離(li)子可能(neng)受(shou)到樣品(pin)表(biao)面的背(bei)散射，也(ye)有(you)部分進入樣品(pin)表(biao)面，這部分離(li)子把能(neng)量傳(chuan)遞(di)給晶格(ge)，當入射(she)能(neng)量大(da)於(yu)晶(jing)格對(dui)原(yuan)子的束(shu)縛(fu)能是，部分原子脫(tuo)離(li)晶格向(xiang)表面運動，並(bing)且(qie)產(chan)生原(yuan)子間的級(ji)聯碰(peng)撞(zhuang)，當這壹(yi)能(neng)量傳(chuan)遞(di)到表面，並(bing)且(qie)大於(yu)表(biao)面的束(shu)縛(fu)能時，飛(fei)行(xing)時間(jian)二(er)次離(li)子質(zhi)譜儀(yi)促(cu)使(shi)表面原子脫(tuo)離(li)樣品(pin)，在(zai)高(gao)速旋轉(zhuan)的加工(gong)頭(tou)與被加工(gong)工(gong)件表(biao)面之(zhi)間(jian)加上含(han)有微(wei)細磨粒的研磨液，並(bing)產(chan)生壹(yi)定(ding)的壓力(li)。通過高(gao)速旋轉(zhuan)的加工(gong)頭(tou)所(suo)產(chan)生的高(gao)速氣(qi)流及離(li)心力，使(shi)磨粒沖擊或(huo)擦(ca)過工(gong)件(jian)表面，產(chan)生彈性破壞(huai)物質(zhi)的原子結(jie)合，從(cong)而(er)往(wang)除(chu)工件(jian)表面的材(cai)料(liao)。它(ta)可(ke)使(shi)材(cai)料(liao)內部不產(chan)生錯(cuo)位和(he)缺(que)陷(xian)，從(cong)而(er)實(shi)現原(yuan)子級(ji)加工(gong)。並(bing)可(ke)獲得非常(chang)優(you)良(liang)的表面。

 

    利用飛行(xing)時間(jian)二(er)次離(li)子質(zhi)譜儀(yi)影像(xiang)可以(yi)觀察(cha)試片表面所(suo)含(han)有(you)之(zhi)元(yuan)素，由適當的縱面元素(su)之(zhi)分析，可以(yi)了(le)解(jie)汙染(ran)之(zhi)深(shen)度(du)。經擴散及離(li)子，結(jie)合離(li)子布植(zhi)技術(shu)在(zai)IC或(huo)其(qi)他(ta)半(ban)導元件之(zhi)應(ying)用(yong)。基(ji)本上(shang)按(an)照其(qi)在(zai)自然(ran)界(jie)的豐度(du)比出(chu)現(xian)在(zai)質(zhi)譜中，這對(dui)於(yu)利用質(zhi)譜確(que)定(ding)化合物及碎片的元素(su)組成有很大(da)方便(bian), 還可(ke)利用穩定同位素(su)合成(cheng)標(biao)記化(hua)合物，氘(dao)等(deng)標記化(hua)合物，再用質(zhi)譜法(fa)檢(jian)出(chu)這些化(hua)合物，在(zai)質(zhi)譜圖(tu)外貌(mao)上(shang)無(wu)變化(hua)，只(zhi)是質(zhi)量數(shu)的位移(yi)，從(cong)而(er)說(shuo)明化(hua)合物結(jie)構(gou)，反應(ying)歷(li)程等(deng)。可以(yi)在(zai)線獲得樣品(pin)中更(geng)多(duo)的信息，保留了(le)微(wei)區分析的特點，沒(mei)有(you)基(ji)體(ti)效應(ying)。其(qi)特點有：分隔的真(zhen)空(kong)腔(qiang)體(ti)有利於濺射(she)中性粒(li)子的收(shou)集和(he)離(li)子化；中性粒(li)子的離(li)子化可(ke)以(yi)使(shi)用電子轟擊，熱(re)電離(li)，激(ji)光共振等(deng)成熟的離(li)子化技(ji)術，質(zhi)量分析器可以(yi)使(shi)用小(xiao)型(xing)的四(si)極桿或(huo)者飛行(xing)時間(jian)質(zhi)量分析器，基(ji)於電場的獨立(li)小(xiao)型(xing)質(zhi)量分析器有利於減小(xiao)儀(yi)器體(ti)積和(he)縮(suo)短(duan)分析時間(jian)。